SLC、MLC和TLC芯片。1、SLC是單層式儲存 。SLC技術特點是在浮置閘極與源極之中的氧化薄膜更薄，在寫入數據時通過對浮置閘極的電荷加電壓，然后透過源極，即可將所儲存的電荷消除，通過這樣的方式，便可儲存1個信息單元，這種技術能提供快速的程序編程與讀取，不過此技術受限于Silicon efficiency的問題，必須要由較先進的流程強化技術，才能向上提升SLC制程技術。2、MLC是多層式儲存。英特爾在1997年9月最先開發成功MLC，其作用是將兩個單位的信息存入一個Floating Gate（閃存存儲單元中存放電荷的部分），然后利用不同電位（Level）的電荷，通過內存儲存的電壓控制精準讀寫。MLC通過使用大量的電壓等級，每個單元儲存兩位數據，數據密度比較大。SLC架構是0和1兩個值，而MLC架構可以一次儲存4個以上的值，因此，MLC架構可以有比較好的儲存密度。