sram存儲器是指靜態隨機存儲器。

SRAM是一種隨機存儲器，只要保持通電，里面的數據就可以一直保存。SRAM的版圖具有高度的規律性，同樣他的設計規則也是整個制程中最嚴格的。

所謂的“靜態”，是指這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數據就可以恒常保持。相對之下，動態隨機存取存儲器（DRAM）里面所儲存的數據就需要周期性地更新。然而，當電力供應停止時，SRAM儲存的數據還是會消失，這與在斷電后還能儲存資料的ROM或閃存是不同的。

所以SRAM的良率以及SRAM的尺寸大小反映了一個Foundry的制程能力。所以在Foundry中也通過SRAM的良率以及性能的變化來反饋制程的問題所在。

SRAM的基本電路結構以及基本的讀寫過程：

最小的SRAM單元我們稱為一個bit，他只能存儲一個信號0或者1，這樣的一個bit由6個晶體管構成，分為2個PMOS（PU），4個NMOS（PD，PG），這里PU和PD形成一個反相器，兩個反相器形成互鎖結構，通過這樣的特性來實現數據的保存。

PU（pull up）也稱為load transistor，他的功能是實現節點的高電位也就是1的狀態，PD（pull down）也稱為drive transistor，他的功能是實現節點的低電位也就是0的狀態。

這樣一個bit中的兩個節點（SNL和SNR）高低電位互換，就能實現0和1兩種狀態的存儲，PG（pass gate）也稱為access transistor，他的功能是實現bitline 的接入，以實現讀寫功能。

以上內容參考：百度百科-SRAM