1、清洗CMOS不徹底或成分不當(dāng)，如果清洗過程中清洗液的成分不當(dāng)、濃度過低或廢液未及時(shí)更換，都會(huì)導(dǎo)致CMOS低通濾鏡在后續(xù)的制造過程中膜層剝落。2、退火溫度過高或時(shí)間過長，在CMOS低通濾鏡制造過程中，退火是為了使材料達(dá)到最佳的電學(xué)性能。如果退火溫度過高或時(shí)間過長，就會(huì)導(dǎo)致膜層剝落的可能性增加。3、膜層初始結(jié)構(gòu)不良或束流不均勻，膜層結(jié)構(gòu)不良或束流不均勻都會(huì)導(dǎo)致CMOS低通濾鏡制造過程中膜層剝落的現(xiàn)象。
綜合
