在精密光刻工藝中，缺陷控制至關重要，尤其隨著線寬尺寸減小。傳統的缺陷處理方法，如延長沖洗時間或使用雙水坑顯影，都存在產量降低或工藝復雜性增加的問題。本文介紹了一種創新的清洗技術，能顯著減少顯影期間的缺陷，同時保持晶片間差異在80%以內，總沖洗時間控制在20秒內，對線寬影響極小。這種清洗方案利用快速連續變化的旋轉速度，尤其適合300毫米晶片加工，且效果優于常規的沖洗方法。研究重點在于通過改變沖洗周期，以快速攪動晶片表面，避免增加沖洗時間，同時確保晶片處理速度不超過2000 rpm。實驗設計采用田口L16篩選，測試了包括沖洗速度、時間、循環次數等在內的八個因素。結果顯示，循環次數、開始沖洗速度以及時間對減少缺陷影響顯著，尤其是循環次數和開始沖洗速度，它們對缺陷減少的貢獻超過60%。通過驗證實驗，最佳沖洗配方顯著減少了缺陷數量和范圍，與標準沖洗工藝相比，缺陷減少高達61%。此外，研究還考慮了表面調節劑在減少線塌陷相關缺陷中的作用，盡管存在SC干燥時間的優化問題，但整體上，新沖洗方法展示了顯著的缺陷減少效果，為提高產量和降低成本提供了新的可能。