光照對光敏電阻的阻值影響是雙向的，具體取決于光敏電阻的類型和工作原理。一般來說，當入射光增強時，一些光敏電阻（如硫化鎘）的阻值會減小，這是基于內光電效應，光子激發半導體材料產生電子—空穴對，導致電阻下降。然而，也有另一種光敏電阻類型在入射光弱時電阻減小，強光時電阻增大。這種非線性的光照特性使得光敏電阻在光的測量、控制和光電轉換中發揮重要作用。

光敏電阻的工作原理涉及半導體材料，如金屬硫化物、硒化物和碲化物，它們的內部結構使得它們對光的強度敏感。制作過程包括在絕緣基底上制作薄的光敏電阻體，配以梳狀歐姆電極，封裝在帶透光鏡的密封殼體內，以確保在光照變化時的穩定性能。

參數特性包括光電流、亮電阻和暗電阻，以及靈敏度和光譜響應。光照特性曲線顯示，隨著光照強度的增加，光敏電阻的阻值會迅速下降，但當光照強度繼續增大，阻值可能趨于穩定或呈現非線性變化。

總的來說，光照對光敏電阻阻值的影響并非單一，它取決于光敏電阻的材料特性和設計，是實現光電信號轉換和光控制的關鍵參數。