在電磁爐功率管的更換中，H20R1203常常可以被IGBT管FGA25N120替代。然而，選擇代換品時，不僅需要考慮電流和反向電壓，飽和壓降和頻率響應也是關鍵的性能指標。盡管H20R1203在這兩個參數上稍占優勢，但差異相對較小。

通常情況下，如果FGA25N120是正品，它能作為H20R1203的合格替代品。FGA25N120是一種內建阻尼管的場效應管，具備三個電極，包括柵極G、集電極C和發射極E。IGBT的結構中，正向電壓由J2結承受，反向電壓則由J1結承受，N+緩沖區的存在會限制反向關斷電壓，影響其應用范圍。

IGBT的轉移特性表現為漏極電流Id與柵源電壓Ugs的關系，當柵源電壓低于開啟電壓Ugs(th)時，IGBT處于關斷狀態。在大部分漏極電流范圍內，電流與電壓是線性相關的，最佳柵源電壓一般控制在15V左右。此外，開關特性包括開關速度和損耗，是衡量IGBT性能的重要方面。

IGBT的開關特性涉及漏極電流和漏源電壓的關系，盡管其PNP晶體管的B值低，但MOSFET部分的電流是其總電流的主要部分。總的來說，盡管H20R1203和FGA25N120在某些參數上有區別，但選擇FGA25N120作為替換品在許多情況下是可行的。