霍爾元件的靈敏度通常在0.1到0.5毫伏每安培每高斯(mV/(mA.G))的范圍內。這項技術的發現和應用歷程頗為曲折。1879年，霍爾效應在金屬中被首次觀察，但因其效應微弱，早期并未引起廣泛關注。直到1948年半導體技術的飛躍，人們在鍺(Ge)等半導體材料中找到了霍爾效應更為顯著的表現，這促使了對銻化銦(InSb)和砷化銦(InAs)等化合物半導體的深入研究，從而制造出性能更為優良的霍爾元件。

隨著霍爾效應及其應用的廣泛被認知，霍爾元件逐漸成為電機轉速測量的重要工具，例如錄像機磁鼓和電腦散熱風扇中的應用。它還是一個多功能的磁傳感器，應用于滑蓋手機等現代設備中，當磁鐵接近手機的霍爾元件時，會觸發霍爾電壓，進而控制屏幕關閉等操作。霍爾元件因其獨特的磁場感應能力，已經成為眾多技術領域中不可或缺的元件。