硅碳負極材料和硅氧負極材料的制備流程區別
硅碳負極材料和硅氧負極材料的制備流程區別
1、硅碳負極材料生產工藝包括原料準備、碳化、燒結、碳化燒結等步驟。原料準備：硅碳負極材料需要硅粉和炭粉兩種原料。硅粉需經過粉碎、篩選、純化等工序處理。炭粉需經過炭化、粉碎等工序處理。硅氧負極材料的制備流程為首先將二氧化硅壓制后形成塊狀二氧化硅餅，然后均勻放置于電阻加熱裝置的加熱區。將塊狀二氧化硅餅加熱到1000～1500℃，對電阻加熱裝置的腔體進行抽真空，使得腔體中的真空度≤50pa，然后往腔體中均勻的通入硅烷氣體。在電阻加熱裝置的冷卻端經冷凝后得到硅氧產物。
導讀1、硅碳負極材料生產工藝包括原料準備、碳化、燒結、碳化燒結等步驟。原料準備：硅碳負極材料需要硅粉和炭粉兩種原料。硅粉需經過粉碎、篩選、純化等工序處理。炭粉需經過炭化、粉碎等工序處理。硅氧負極材料的制備流程為首先將二氧化硅壓制后形成塊狀二氧化硅餅，然后均勻放置于電阻加熱裝置的加熱區。將塊狀二氧化硅餅加熱到1000～1500℃，對電阻加熱裝置的腔體進行抽真空，使得腔體中的真空度≤50pa，然后往腔體中均勻的通入硅烷氣體。在電阻加熱裝置的冷卻端經冷凝后得到硅氧產物。
硅碳負極材料和硅氧負極材料的制備流程區別解答如下：1、硅碳負極材料生產工藝包括原料準備、碳化、燒結、碳化燒結等步驟。原料準備：硅碳負極材料需要硅粉和炭粉兩種原料。硅粉需經過粉碎、篩選、純化等工序處理。炭粉需經過炭化、粉碎等工序處理。硅氧負極材料的制備流程為首先將二氧化硅壓制后形成塊狀二氧化硅餅，然后均勻放置于電阻加熱裝置的加熱區。將塊狀二氧化硅餅加熱到1000～1500℃，對電阻加熱裝置的腔體進行抽真空，使得腔體中的真空度≤50pa，然后往腔體中均勻的通入硅烷氣體。在電阻加熱裝置的冷卻端經冷凝后得到硅氧產物。
硅碳負極材料和硅氧負極材料的制備流程區別
1、硅碳負極材料生產工藝包括原料準備、碳化、燒結、碳化燒結等步驟。原料準備：硅碳負極材料需要硅粉和炭粉兩種原料。硅粉需經過粉碎、篩選、純化等工序處理。炭粉需經過炭化、粉碎等工序處理。硅氧負極材料的制備流程為首先將二氧化硅壓制后形成塊狀二氧化硅餅，然后均勻放置于電阻加熱裝置的加熱區。將塊狀二氧化硅餅加熱到1000～1500℃，對電阻加熱裝置的腔體進行抽真空，使得腔體中的真空度≤50pa，然后往腔體中均勻的通入硅烷氣體。在電阻加熱裝置的冷卻端經冷凝后得到硅氧產物。
為你推薦
綜合
