不是。從IGBT的原理圖和導(dǎo)通特性可以得出，IGBT每次由導(dǎo)通到關(guān)閉時(shí)，由于IGBT的寄生參數(shù)影響，IGBT會(huì)產(chǎn)生一個(gè)非常大的反向恢復(fù)電流Irr，為了使IGBT能夠迅速的關(guān)斷，在IGBT的CE兩極之間并聯(lián)一個(gè)超快恢復(fù)的續(xù)流二極管，以保證每次關(guān)斷時(shí)，反向恢復(fù)電流可以通過(guò)續(xù)流二極管進(jìn)行釋放。與集電極電流IC相比較，反向恢復(fù)電流Irr也是很大的數(shù)值，所以在計(jì)算系統(tǒng)的損耗時(shí)，這部分由來(lái)自于續(xù)流二極管導(dǎo)通到關(guān)閉過(guò)程中產(chǎn)生的損耗也必須進(jìn)行計(jì)算在內(nèi)。查詢知名IGBT生產(chǎn)商的器件數(shù)據(jù)手冊(cè)發(fā)現(xiàn)，這個(gè)續(xù)流二極管的電流特性曲線是由兩個(gè)函數(shù)圖表示的，并且續(xù)流二極管的反向恢復(fù)電流值IF與IC相同，因?yàn)榻涣魉欧姍C(jī)屬于感性負(fù)載，IGBT的集電極電流IC在反向恢復(fù)時(shí)不會(huì)發(fā)生突變。根據(jù)以上分析，計(jì)算時(shí)可以把續(xù)流二極管的正向電壓VF看成Ic的函數(shù)VF(Ic_igbt)，反向恢復(fù)損耗Eoff_diode(Ic_igbt)。