QLC和TLC固態哪個好需要根據應用場景來判斷。

QLC是四位存儲單元技術，也就是說每個存儲單元可以存儲4個比特，而TLC是三位存儲單元技術，每個存儲單元可以存儲3個比特。由于QLC可以存儲更多的比特，所以它的存儲密度更高，價格也更低。但是，QLC的壽命比TLC更短，因為它的寫入次數更少。

那對于需要大容量存儲的應用來說，QLC顯然更適合，因為它的存儲密度更高，價格也更低。而對于需要高速讀寫和較長壽命的應用來說，TLC更為適合。因此，不能簡單地說哪種更好，而要根據具體的應用場景來選擇。

QLC原理的介紹：

1、存儲單元結構：QLC閃存存儲單元的基本結構與其他閃存類型相似，由浮柵和控制柵構成。浮柵中的電荷量表示存儲單元的狀態，用來表示0或者1。QLC閃存通過在浮柵中存儲更多的電荷量來實現每個存儲單元存儲更多的比特。

2、多電荷量級表示：QLC閃存通過在浮柵中存儲多個電荷量級來表示不同的比特組合。傳統閃存技術中，每個存儲單元只能存儲一個電荷量級，代表兩種狀態（0或1），而QLC閃存通過增加電荷量級的變化來表示更多的比特組合。