1、導(dǎo)通狀態(tài)：當(dāng)柵極電壓（VGS）大于零，會(huì)在柵極和襯底之間形成電場(chǎng)，這個(gè)電場(chǎng)方向垂直于半導(dǎo)體表面，由柵極指向襯底。這個(gè)電場(chǎng)會(huì)排斥P型襯底中的空穴，吸引N型半導(dǎo)體中的電子。當(dāng)VGS增大到一定程度時(shí)，會(huì)在P型襯底表面形成一個(gè)薄的N型區(qū)域，這個(gè)區(qū)域就形成了N型導(dǎo)電溝道，使得電子可以從源極流向漏極，從而實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通。2、截止?fàn)顟B(tài)：當(dāng)VGS小于等于零或者接近零時(shí)，柵極和襯底之間的電場(chǎng)不足以排斥P型襯底中的空穴，也無(wú)法吸引N型半導(dǎo)體中的電子，因此導(dǎo)電溝道消失，電子無(wú)法從源極流向漏極，NMOS管進(jìn)入截止?fàn)顟B(tài)。3、閾值電壓：當(dāng)VGS增大到一定值時(shí)，會(huì)形成導(dǎo)電溝道，這個(gè)值被稱為閾值電壓（Vth）。閾值電壓的大小取決于NMOS管的結(jié)構(gòu)和材料參數(shù)。