存取周期是指
存取周期是指
存取周期是指連續兩次獨立的存儲器操作（如兩個連續的讀操作）之間所需要的最小時間間隔。這個時間間隔包括存取時間和復原時間。對于非破壞性讀出方式，復原時間是指存取信息所需的穩定時間；對于破壞性讀出方式，復原時間則是指刷新所用的又一次存取時間。存儲器的兩個基本操作為“讀出”與“寫入”，是指將存儲單元與存儲寄存器（MDR）之間進行讀寫。存儲器從接收讀出命令到被讀出信息穩定在MDR的輸出端為止的時間間隔，稱為“取數時間TA”。兩次獨立的存取操作之間所需最短時間稱為“存儲周期TMC”。半導體存儲器的存取周期一般為6ns至10ns。
導讀存取周期是指連續兩次獨立的存儲器操作（如兩個連續的讀操作）之間所需要的最小時間間隔。這個時間間隔包括存取時間和復原時間。對于非破壞性讀出方式，復原時間是指存取信息所需的穩定時間；對于破壞性讀出方式，復原時間則是指刷新所用的又一次存取時間。存儲器的兩個基本操作為“讀出”與“寫入”，是指將存儲單元與存儲寄存器（MDR）之間進行讀寫。存儲器從接收讀出命令到被讀出信息穩定在MDR的輸出端為止的時間間隔，稱為“取數時間TA”。兩次獨立的存取操作之間所需最短時間稱為“存儲周期TMC”。半導體存儲器的存取周期一般為6ns至10ns。
存取周期是指連續兩次獨立的存儲器操作（如兩個連續的讀操作）之間所需要的最小時間間隔。這個時間間隔包括存取時間和復原時間。對于非破壞性讀出方式，復原時間是指存取信息所需的穩定時間；對于破壞性讀出方式，復原時間則是指刷新所用的又一次存取時間。存儲器的兩個基本操作為“讀出”與“寫入”，是指將存儲單元與存儲寄存器（MDR）之間進行讀寫。存儲器從接收讀出命令到被讀出信息穩定在MDR的輸出端為止的時間間隔，稱為“取數時間TA”。兩次獨立的存取操作之間所需最短時間稱為“存儲周期TMC”。半導體存儲器的存取周期一般為6ns至10ns。
存取周期是指
存取周期是指連續兩次獨立的存儲器操作（如兩個連續的讀操作）之間所需要的最小時間間隔。這個時間間隔包括存取時間和復原時間。對于非破壞性讀出方式，復原時間是指存取信息所需的穩定時間；對于破壞性讀出方式，復原時間則是指刷新所用的又一次存取時間。存儲器的兩個基本操作為“讀出”與“寫入”，是指將存儲單元與存儲寄存器（MDR）之間進行讀寫。存儲器從接收讀出命令到被讀出信息穩定在MDR的輸出端為止的時間間隔，稱為“取數時間TA”。兩次獨立的存取操作之間所需最短時間稱為“存儲周期TMC”。半導體存儲器的存取周期一般為6ns至10ns。
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