什么是絕緣電阻和漏電流？在測量過程中，施加高直流電壓后，小（微安）電流會流過導體和絕緣層。這種電流的大小取決于電壓量、系統電容、總電阻以及材料溫度。對于固定電壓，電流越大，電阻越低（E=IR，R=E/I）。因此，絕緣電阻值會受到三個獨立子電流的影響。1. 傳導泄漏電流 (I L)傳導電流是指流過絕緣層、導體之間或從導體到地的少量（微安）電流。絕緣狀況惡化時，傳導電流會增加，并在吸收電流消失后占主導地位。傳導電流相對穩定且與時間無關，因此它是測量絕緣電阻的關鍵電流。2. 容性充電泄漏電流 (I C)當兩個或多個導體在滾道中運行時，它們會形成電容器。這種電容效應導致泄漏電流流過導體絕緣層。在施加直流電壓時，這種電流僅持續幾秒鐘，并在絕緣體充電至測試電壓后下降。在低電容設備中，電容電流可能高于傳導漏電流，但通常在記錄數據前就已消失。因此，在記錄前讓讀數穩定很重要。而對于高電容設備，電容充電泄漏電流可能會長時間穩定。3. 極化吸收漏電流 (I A)吸收電流是由介電材料內分子極化引起的。在低電容設備中，最初幾秒鐘的電流較高，隨后逐漸下降至幾乎為零。然而，在處理高容量設備或潮濕污染的絕緣時，吸收電流可能長時間不會下降。