1. 全碳化硅（SiC）功率模塊產(chǎn)品是為大電流電路設(shè)計(jì)的高效解決方案。2. 這些模塊由碳化硅MOSFET與SiC肖特基二極管（SBD）構(gòu)成，或僅由多個(gè)SiC單管構(gòu)成。3. 常見的結(jié)構(gòu)包括H橋、半橋和三相全橋等。4. 以下介紹幾種全碳化硅MOS管構(gòu)成的SiC模塊特點(diǎn)。5. DCS12模塊采用單面水冷與模封工藝，支持最高175℃的工作結(jié)溫。6. 該模塊具備高功率密度，適用于高溫、高頻應(yīng)用，且具有超低損耗特性。7. 集成NTC溫度傳感器，便于系統(tǒng)集成。8. DWC3模塊采用真空回流焊工藝，結(jié)合AlSiC底板與低熱值A(chǔ)lN絕緣陶瓷。9. 支持同樣175℃的工作結(jié)溫，其第三代模塊寄生電感低于10nH。10. 較現(xiàn)有模塊小50%，顯著降低開關(guān)損耗。11. 同樣具備高功率密度、超低損耗及系統(tǒng)集成便利性。12. EasyPACK模塊采用先進(jìn)真空回流焊工藝與Al2O3絕緣陶瓷。13. 支持150℃工作結(jié)溫，具備高功率密度、低寄生電感與低開關(guān)損耗特性。14. 適用于高溫、高頻應(yīng)用，集成NTC溫度傳感器，易于系統(tǒng)集成。15. EasyPIM模塊結(jié)構(gòu)與EasyPACK相似，同樣支持150℃工作結(jié)溫。16. 具備高功率密度、低寄生電感與低開關(guān)損耗特性，適用于高溫、高頻應(yīng)用。17. 集成NTC溫度傳感器，易于系統(tǒng)集成。18. Econodual模塊采用真空回流焊工藝，結(jié)合Cu底板與低熱值A(chǔ)lN絕緣陶瓷。19. 支持175℃工作結(jié)溫，具備高功率密度、超低損耗特性。20. 集成NTC溫度傳感器，易于系統(tǒng)集成。21. 此模塊為常關(guān)功率模塊，零拖尾電流，寄生電感小于15nH，開關(guān)損耗低。22. HPD模塊采用AlN與AlSiC散熱結(jié)構(gòu)，支持175℃工作結(jié)溫。23. 第三代模塊寄生電感低于10nH，較現(xiàn)有模塊小50%，顯著降低開關(guān)損耗。24. 同樣適用于高溫、高頻應(yīng)用，集成NTC溫度傳感器，易于系統(tǒng)集成。25. SiC器件廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏逆變、儲(chǔ)能、充電樁等多個(gè)領(lǐng)域。26. 新能源汽車采用SiC逆變器能提升電源頻率與電機(jī)轉(zhuǎn)速，減少相同功率下的轉(zhuǎn)矩與體積。27. 光伏逆變器采用SiC MOSFET或SiC模塊能顯著提高轉(zhuǎn)換效率。28. 降低能量損耗與設(shè)備壽命。29. 儲(chǔ)能系統(tǒng)與充電樁也受益于SiC器件的高效性能。30. 隨著SiC技術(shù)的不斷進(jìn)步，其獨(dú)特的耐高溫性能推動(dòng)結(jié)溫從150℃向175℃發(fā)展，甚至達(dá)到200℃。31. SiC模塊因其低開關(guān)損耗優(yōu)勢，適用于高溫、高功率密度產(chǎn)品應(yīng)用。32. 如多電和全電飛機(jī)、移動(dòng)儲(chǔ)能充電站以及受限于液體冷卻的電力應(yīng)用。33. 在移動(dòng)式儲(chǔ)能充電站和移動(dòng)式充電寶等應(yīng)用中，SiC技術(shù)的高效性有助于填補(bǔ)固定式充電站的不足。34. 對于移動(dòng)充電應(yīng)用，自然冷卻的電控系統(tǒng)成為最佳選擇。35. 同時(shí)需要妥善處理電控系統(tǒng)的熱管理問題。36. 在特種工業(yè)應(yīng)用中，高溫環(huán)境對電控系統(tǒng)的性能提出了更高要求。37. SiC功率器件的高溫封裝技術(shù)與匹配的高溫驅(qū)動(dòng)電路技術(shù)成為關(guān)鍵。38. 采用全碳化硅模塊能在最大開關(guān)頻率下，相較于同規(guī)格的硅基IGBT功率模塊。39. 降低85%的開關(guān)損耗。40. 與SiC MOSFET單管相比，SiC模塊由于封裝中的寄生電感更低、開關(guān)損耗更低。41. 其工作效率與開關(guān)頻率更高，有助于減少無源器件尺寸與整體模塊尺寸。42. 基于這些優(yōu)勢，全碳化硅模塊在各種應(yīng)用場景中展現(xiàn)出顯著的性能優(yōu)勢與市場潛力。