高純硅晶圓是計算機(jī)芯片制造的核心材料，其基礎(chǔ)是高純度的多晶硅。這種材料通過溶解和結(jié)晶過程，被摻入到硅晶體晶種中，隨后緩慢拉長形成單晶硅。這些單晶硅棒經(jīng)過研磨、拋光和切片，最終成為光滑的硅晶圓片，業(yè)內(nèi)簡稱為晶圓。目前，國內(nèi)晶圓制造業(yè)主要集中在8英寸和12英寸的產(chǎn)線。晶圓的加工方式主要包括單片加工和批量加工，即對單個或多個晶圓同時進(jìn)行處理。隨著半導(dǎo)體技術(shù)不斷進(jìn)步，特征尺寸越來越小，加工和測量設(shè)備也在不斷更新，這為晶圓加工帶來了新的技術(shù)挑戰(zhàn)和數(shù)據(jù)特征。同時，由于特征尺寸的減小，晶圓加工過程中空氣中的顆粒物對成品質(zhì)量和可靠性的影響也越來越大，因此在潔凈室環(huán)境控制方面也出現(xiàn)了新的趨勢和數(shù)據(jù)特點。在芯片制造過程中，單晶硅晶圓（或III-V族化合物材料，例如砷化鎵）被用作基層，通過光刻、摻雜、化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）等技術(shù)制造出MOSFET或BJT等半導(dǎo)體組件。隨后，利用薄膜技術(shù)和CMP技術(shù)形成導(dǎo)線，最終完成芯片的制作。根據(jù)產(chǎn)品性能要求和成本考慮，導(dǎo)線制造可以選擇鋁工藝（主要使用濺射技術(shù)）或銅工藝（主要使用電鍍技術(shù)，參見Damascene工藝）。集成電路（IC）由多層重疊的結(jié)構(gòu)組成，每層都由不同的光刻技術(shù)定義，通常用不同顏色標(biāo)識以區(qū)分。這些層中，有的用于定義摻雜劑在基層的擴(kuò)散區(qū)域（擴(kuò)散層），有的用于標(biāo)識額外源含的離子注入?yún)^(qū)域（注入層），有的定義導(dǎo)體（多晶硅或金屬層），還有的用于建立不同傳導(dǎo)層之間的連接（過孔或接觸層）。