國產(chǎn)小芯片開始量產(chǎn)長電科技宣布4nm芯片封裝產(chǎn)品出貨
國產(chǎn)小芯片開始量產(chǎn)長電科技宣布4nm芯片封裝產(chǎn)品出貨
1月5日,長電科技午間宣布,公司XDFOIChiplet高密度多維異構(gòu)集成系列工藝已按計劃進入穩(wěn)定量產(chǎn)階段,同步實現(xiàn)國際客戶4nm節(jié)點多芯片系統(tǒng)集成封裝產(chǎn)品出貨,最大封裝體面積約為1500mm2的系統(tǒng)級封裝。長電科技表示,目前,長電科技XDFOI技術(shù)可將有機重布線堆疊中介層厚度控制在50μm以內(nèi),微凸點(μBump)中心距為40μm,實現(xiàn)在更薄和更小單位面積內(nèi)進行高密度的各種工藝集成,達到更高的集成度、更強的模塊功能和更小的封裝尺寸。同時,還可以在封裝體背面進行金屬沉積,在有效提高散熱效率的同時,根據(jù)設(shè)計需要增強封裝的電磁屏蔽能力,提升芯片成品良率。
導(dǎo)讀1月5日,長電科技午間宣布,公司XDFOIChiplet高密度多維異構(gòu)集成系列工藝已按計劃進入穩(wěn)定量產(chǎn)階段,同步實現(xiàn)國際客戶4nm節(jié)點多芯片系統(tǒng)集成封裝產(chǎn)品出貨,最大封裝體面積約為1500mm2的系統(tǒng)級封裝。長電科技表示,目前,長電科技XDFOI技術(shù)可將有機重布線堆疊中介層厚度控制在50μm以內(nèi),微凸點(μBump)中心距為40μm,實現(xiàn)在更薄和更小單位面積內(nèi)進行高密度的各種工藝集成,達到更高的集成度、更強的模塊功能和更小的封裝尺寸。同時,還可以在封裝體背面進行金屬沉積,在有效提高散熱效率的同時,根據(jù)設(shè)計需要增強封裝的電磁屏蔽能力,提升芯片成品良率。
小芯片chiplets是半導(dǎo)體制造及封裝領(lǐng)域最熱門的技術(shù)之一,AMD、Intel已經(jīng)推出了多款小芯片設(shè)計的芯片,現(xiàn)在國產(chǎn)國產(chǎn)也在這個領(lǐng)域快速追趕,長電科技今天宣布了自家的XDFOI封裝技術(shù)開始量產(chǎn),并為國際客戶生產(chǎn)了4nm多芯片封裝產(chǎn)品。1月5日,長電科技午間宣布,公司XDFOIChiplet高密度多維異構(gòu)集成系列工藝已按計劃進入穩(wěn)定量產(chǎn)階段,同步實現(xiàn)國際客戶4nm節(jié)點多芯片系統(tǒng)集成封裝產(chǎn)品出貨,最大封裝體面積約為1500mm2的系統(tǒng)級封裝。長電科技表示,目前,長電科技XDFOI技術(shù)可將有機重布線堆疊中介層厚度控制在50μm以內(nèi),微凸點(μBump)中心距為40μm,實現(xiàn)在更薄和更小單位面積內(nèi)進行高密度的各種工藝集成,達到更高的集成度、更強的模塊功能和更小的封裝尺寸。同時,還可以在封裝體背面進行金屬沉積,在有效提高散熱效率的同時,根據(jù)設(shè)計需要增強封裝的電磁屏蔽能力,提升芯片成品良率。據(jù)了解,長電科技充分發(fā)揮這一工藝的技術(shù)優(yōu)勢,已在高性能計算、人工智能、5G、汽車電子等領(lǐng)域應(yīng)用,向下游客戶提供了外型更輕薄、數(shù)據(jù)傳輸速率更快、功率損耗更小的芯片成品制造解決方案。
國產(chǎn)小芯片開始量產(chǎn)長電科技宣布4nm芯片封裝產(chǎn)品出貨
1月5日,長電科技午間宣布,公司XDFOIChiplet高密度多維異構(gòu)集成系列工藝已按計劃進入穩(wěn)定量產(chǎn)階段,同步實現(xiàn)國際客戶4nm節(jié)點多芯片系統(tǒng)集成封裝產(chǎn)品出貨,最大封裝體面積約為1500mm2的系統(tǒng)級封裝。長電科技表示,目前,長電科技XDFOI技術(shù)可將有機重布線堆疊中介層厚度控制在50μm以內(nèi),微凸點(μBump)中心距為40μm,實現(xiàn)在更薄和更小單位面積內(nèi)進行高密度的各種工藝集成,達到更高的集成度、更強的模塊功能和更小的封裝尺寸。同時,還可以在封裝體背面進行金屬沉積,在有效提高散熱效率的同時,根據(jù)設(shè)計需要增強封裝的電磁屏蔽能力,提升芯片成品良率。
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