半導體爐管設備是半導體制造過程中的重要工具，它在多個工藝步驟中發揮著核心作用，包括擴散、摻雜、氧化、沉積和退火等。這些設備主要分為兩種基本結構：水平式和垂直式。在水平式爐管設備中，硅片被放置在石英晶舟內，由碳化硅制成的承載架進行支撐，并在爐管的前后設置有調節擋板。爐管通過承載架的推動，使硅片在恒溫區域內進行化學反應。完成反應后，硅片會緩慢地從爐管中抽出，以減少由于溫度梯度引起的彎曲或破裂的風險。而垂直式爐管設備則是將硅片置于石英塔架上，然后硅片緩緩上升至石英爐管內部以進行相應的半導體制程。反應結束后，硅片需要再次緩慢下降，這是為了防止由于速度過快而導致的硅片損壞。此外，爐管設備根據工作原理的不同，可以分為常壓化學氣相沉積爐管（APCVD）和低壓化學氣相沉積爐管（LPCVD）。常壓化學氣相沉積爐管的基本組成部分包括控制系統、硅片裝載/卸載系統、氣體排放系統、爐體以及氣體輸送系統等。這些系統共同工作，以確保半導體制造過程的順利進行。