bcd工藝與cmos工藝的區(qū)別
bcd工藝與cmos工藝的區(qū)別
1、制造方式：BCD工藝是一種單片集成工藝技術(shù)，能夠?qū)㈦p極Bipolar器件、CMOS器件和DMOS功率晶體管同時(shí)制作在同一芯片上，而CMOS工藝是在PMOS和NMOS基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的，使用的是SOI（SilicononInsulator）或BulkCMOS等技術(shù)進(jìn)行制造。2、結(jié)構(gòu)：BCD工藝是由三個(gè)不同的技術(shù)層次組成，即雙極器件（Bipolar）、CMOS器件和雙金屬氧化物半導(dǎo)體器件（DMOS），而CMOS工藝僅包含CMOS器件。
導(dǎo)讀1、制造方式：BCD工藝是一種單片集成工藝技術(shù)，能夠?qū)㈦p極Bipolar器件、CMOS器件和DMOS功率晶體管同時(shí)制作在同一芯片上，而CMOS工藝是在PMOS和NMOS基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的，使用的是SOI（SilicononInsulator）或BulkCMOS等技術(shù)進(jìn)行制造。2、結(jié)構(gòu)：BCD工藝是由三個(gè)不同的技術(shù)層次組成，即雙極器件（Bipolar）、CMOS器件和雙金屬氧化物半導(dǎo)體器件（DMOS），而CMOS工藝僅包含CMOS器件。
制造方式不同，結(jié)構(gòu)不同。1、制造方式：BCD工藝是一種單片集成工藝技術(shù)，能夠?qū)㈦p極Bipolar器件、CMOS器件和DMOS功率晶體管同時(shí)制作在同一芯片上，而CMOS工藝是在PMOS和NMOS基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的，使用的是SOI（SilicononInsulator）或BulkCMOS等技術(shù)進(jìn)行制造。2、結(jié)構(gòu)：BCD工藝是由三個(gè)不同的技術(shù)層次組成，即雙極器件（Bipolar）、CMOS器件和雙金屬氧化物半導(dǎo)體器件（DMOS），而CMOS工藝僅包含CMOS器件。
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1、制造方式：BCD工藝是一種單片集成工藝技術(shù)，能夠?qū)㈦p極Bipolar器件、CMOS器件和DMOS功率晶體管同時(shí)制作在同一芯片上，而CMOS工藝是在PMOS和NMOS基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的，使用的是SOI（SilicononInsulator）或BulkCMOS等技術(shù)進(jìn)行制造。2、結(jié)構(gòu)：BCD工藝是由三個(gè)不同的技術(shù)層次組成，即雙極器件（Bipolar）、CMOS器件和雙金屬氧化物半導(dǎo)體器件（DMOS），而CMOS工藝僅包含CMOS器件。
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