b660m幾個(gè)固態(tài)接口
b660m幾個(gè)固態(tài)接口
8個(gè)，它可以裝2個(gè)M.2的固態(tài)，以及6個(gè)sata接口的固態(tài)，最多可以裝8張固態(tài)硬盤。b660m主板在做工方面從不吝嗇，TUFGAMINGB660M-PLUSWIFID4一共有13相供電10+1+2，其中核心是5+5并聯(lián)供電，每相配備一個(gè)50A的SIC654DrMOS、一個(gè)粉末化超合金電感。相比B560重炮手的8+1+1相供電設(shè)計(jì)，升級(jí)力度不小，支持8個(gè)接口的固態(tài)硬盤。
導(dǎo)讀8個(gè)，它可以裝2個(gè)M.2的固態(tài)，以及6個(gè)sata接口的固態(tài)，最多可以裝8張固態(tài)硬盤。b660m主板在做工方面從不吝嗇，TUFGAMINGB660M-PLUSWIFID4一共有13相供電10+1+2，其中核心是5+5并聯(lián)供電，每相配備一個(gè)50A的SIC654DrMOS、一個(gè)粉末化超合金電感。相比B560重炮手的8+1+1相供電設(shè)計(jì)，升級(jí)力度不小，支持8個(gè)接口的固態(tài)硬盤。
8個(gè)，它可以裝2個(gè)M.2的固態(tài)，以及6個(gè)sata接口的固態(tài)，最多可以裝8張固態(tài)硬盤。b660m主板在做工方面從不吝嗇，TUFGAMINGB660M-PLUSWIFID4一共有13相供電10+1+2，其中核心是5+5并聯(lián)供電，每相配備一個(gè)50A的SIC654DrMOS、一個(gè)粉末化超合金電感。相比B560重炮手的8+1+1相供電設(shè)計(jì)，升級(jí)力度不小，支持8個(gè)接口的固態(tài)硬盤。
b660m幾個(gè)固態(tài)接口
8個(gè)，它可以裝2個(gè)M.2的固態(tài)，以及6個(gè)sata接口的固態(tài)，最多可以裝8張固態(tài)硬盤。b660m主板在做工方面從不吝嗇，TUFGAMINGB660M-PLUSWIFID4一共有13相供電10+1+2，其中核心是5+5并聯(lián)供電，每相配備一個(gè)50A的SIC654DrMOS、一個(gè)粉末化超合金電感。相比B560重炮手的8+1+1相供電設(shè)計(jì)，升級(jí)力度不小，支持8個(gè)接口的固態(tài)硬盤。
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