內(nèi)存d4和d5有什么區(qū)別
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D4和D5內(nèi)存條是兩種類型的DDR4內(nèi)存,其中D4是指4代內(nèi)存,D5是指5代內(nèi)存。D4內(nèi)存條的工作頻率可以達(dá)到2133MHz到3200MHz,而且可以通過超頻技術(shù)進(jìn)一步提升頻率。D5內(nèi)存條的工作頻率可以達(dá)到3200MHz到4800MHz,比D4內(nèi)存條提升了一倍。D4內(nèi)存條的CAS延遲通常在15到19之間,較低頻率的內(nèi)存條通常具有較低的CAS延遲。D5內(nèi)存條的CAS延遲較低,通常在14到16之間,這意味著D5內(nèi)存條比D4內(nèi)存條在同樣頻率下具有更快的響應(yīng)速度。D4內(nèi)存條的電壓為1.2V,能耗較低,不易發(fā)熱。D5內(nèi)存條的電壓為1.35V,比D4內(nèi)存條高,但在同等頻率下表現(xiàn)更好,能耗相對(duì)稍高,但性能十分強(qiáng)勁。
導(dǎo)讀D4和D5內(nèi)存條是兩種類型的DDR4內(nèi)存,其中D4是指4代內(nèi)存,D5是指5代內(nèi)存。D4內(nèi)存條的工作頻率可以達(dá)到2133MHz到3200MHz,而且可以通過超頻技術(shù)進(jìn)一步提升頻率。D5內(nèi)存條的工作頻率可以達(dá)到3200MHz到4800MHz,比D4內(nèi)存條提升了一倍。D4內(nèi)存條的CAS延遲通常在15到19之間,較低頻率的內(nèi)存條通常具有較低的CAS延遲。D5內(nèi)存條的CAS延遲較低,通常在14到16之間,這意味著D5內(nèi)存條比D4內(nèi)存條在同樣頻率下具有更快的響應(yīng)速度。D4內(nèi)存條的電壓為1.2V,能耗較低,不易發(fā)熱。D5內(nèi)存條的電壓為1.35V,比D4內(nèi)存條高,但在同等頻率下表現(xiàn)更好,能耗相對(duì)稍高,但性能十分強(qiáng)勁。
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D4和D5內(nèi)存條是兩種類型的DDR4內(nèi)存,其中D4是指4代內(nèi)存,D5是指5代內(nèi)存。D4內(nèi)存條的工作頻率可以達(dá)到2133MHz到3200MHz,而且可以通過超頻技術(shù)進(jìn)一步提升頻率。D5內(nèi)存條的工作頻率可以達(dá)到3200MHz到4800MHz,比D4內(nèi)存條提升了一倍。D4內(nèi)存條的CAS延遲通常在15到19之間,較低頻率的內(nèi)存條通常具有較低的CAS延遲。D5內(nèi)存條的CAS延遲較低,通常在14到16之間,這意味著D5內(nèi)存條比D4內(nèi)存條在同樣頻率下具有更快的響應(yīng)速度。D4內(nèi)存條的電壓為1.2V,能耗較低,不易發(fā)熱。D5內(nèi)存條的電壓為1.35V,比D4內(nèi)存條高,但在同等頻率下表現(xiàn)更好,能耗相對(duì)稍高,但性能十分強(qiáng)勁。
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