HBM代表高帶寬內(nèi)存（High Bandwidth Memory），它是一種采用3D堆疊技術(shù)的DRAM內(nèi)存芯片接口。這種技術(shù)能顯著提高數(shù)據(jù)傳輸速度，特別是在人工智能（AI）應(yīng)用快速增長的推動下，第三代HBM的價格出現(xiàn)了大幅上漲。AI服務(wù)器對DRAM的需求是常規(guī)服務(wù)器的8倍，這一需求激增拉動了DRAM市場的快速增長。HBM技術(shù)解決了內(nèi)存容量和帶寬的瓶頸問題，被廣泛認為是新一代DRAM的解決方案。通過2.5D或3D堆疊技術(shù)，HBM將多個存儲芯片和處理器芯片集成在同一封裝內(nèi)，從而克服了帶寬限制，增加了帶寬，擴大了內(nèi)存容量，并降低了數(shù)據(jù)存儲的延遲。隨著AI對話程序在執(zhí)行計算時對大容量、高速存儲的需求日益增加，預(yù)計高性能存儲芯片（HBM）的需求將進一步擴大。HBM產(chǎn)業(yè)鏈及相關(guān)概念股包括：1. 上游原材料：GMC顆粒狀環(huán)氧塑封料。由于HBM的疊層厚度較高，需要使用特殊的顆粒塑封料進行封裝，全球掌握這種GMC技術(shù)的公司寥寥無幾，其中兩家為日系公司（S公司和R公司），而國內(nèi)則有華海誠科等上市公司涉足。2. 上游原材料：聯(lián)瑞新材提供的GMC所需45um/20um低α球硅和未來可能需要的低α球鋁，是其主要產(chǎn)品之一。3. 封裝技術(shù)：TSV（硅通孔）技術(shù)。中微公司掌握TSV技術(shù)，是HBM關(guān)鍵技術(shù)的提供者之一，也是TSV設(shè)備的主要供應(yīng)商。TSV技術(shù)通過在硅晶圓上穿過硅基板實現(xiàn)硅片內(nèi)部的垂直電互聯(lián)，是實現(xiàn)2.5D、3D先進封裝的關(guān)鍵技術(shù)之一，廣泛應(yīng)用于硅轉(zhuǎn)接板、芯片三維堆疊等領(lǐng)域。