RCA清洗，即工業標準濕法清洗工藝，是一種廣泛應用的濕式化學清洗方法。它主要包括以下幾種清洗液：1. SPM：H2SO4 /H2O2，溫度在120～150℃之間。SPM具有強大的氧化能力，能夠將金屬氧化后溶解于清洗液中，同時將有機物氧化為CO2和H2O。使用SPM清洗硅片可以去除表面的重有機污染和部分金屬，但在有機污染特別嚴重時，有機物可能會碳化，導致難以去除。2. HF(DHF)：溫度在20～25℃之間。DHF能夠去除硅片表面的自然氧化膜，因此，硅片上附著的金屬將被溶解到清洗液中。同時，DHF抑制了氧化膜的形成，從而容易去除硅片表面的Al，Fe，Zn，Ni等金屬，以及附著在自然氧化膜上的金屬氫氧化物。當自然氧化膜被腐蝕掉時，硅片表面的原始硅幾乎不被腐蝕。3. APM (SC-1）：NH4OH/H2O2 /H2O，溫度在30～80℃之間。由于H2O2的作用，硅片表面會形成一層自然氧化膜(SiO2)，具有親水性，使得硅片表面和粒子能夠被清洗液充分滲透。硅片表面的自然氧化層與硅片表面的Si被NH4OH腐蝕，導致附著在硅片表面的顆粒物落入清洗液中，從而實現粒子的去除。在NH4OH腐蝕硅片表面的同時，H2O2又在氧化硅片表面形成新的氧化膜。4. HPM (SC-2)：HCl/H2O2/H2O，溫度在65～85℃之間。這種清洗液用于去除硅片表面的鈉、鐵、鎂等金屬污染。在室溫下，HPM就能去除Fe和Zn。