手機硬盤寫入速度？

UFS閃存也是近年來才興起的產物，在幾年前，手機機身存儲顆粒一般都是eMMC(Embedded Multi Media Card)，在手機界eMMC過渡UFS之際，也鬧出過"華為閃存門"之類的事情。原因還是eMMC閃存相比UFS要慢的多得多，eMMC的結構性質(只支持半雙工運行，即讀寫必須分開執行)，這一屬性決定了eMMC不會有超人的成績，最強的eMMC5.1持續讀寫成績也不過280MB/s左右。總體相當于陳舊的SATA2.0固態硬盤，寫入速度上普遍只有200MB/s，與機械硬盤無異。

UFS閃存就快的多了，它的物理結構卻是由多個閃存芯片、主控、緩存組成的陣列式存儲模塊。目前UFS閃存已經經過了UFS2.0、UFS2.1、UFS3.0、UFS3.1四個版本迭代。第一代UFS閃存UFS2.0的常見順序讀取速度為500MB/s，不過順序寫入速度提升不大，依舊在250MB/s徘徊。總體性能可以堪比目前電腦上的SATA3.0固態硬盤。UFS2.1的常見順序讀取速度為700MB/s，順序寫入依舊沒什么提升，UFS2.1和UFS2.0的差距不算顯著。

UFS3.0就快多了，常見的UFS3.0的順序讀取速度為1500MB/s左右。順序寫入速度可以達到500MB/s左右。UFS3.1的順序讀取速度在1800MB/s左右。順序寫入速度也進一步升級到了800MB/s。當然這些也只是常見數值，一些優秀的廠家可以調校的更好。UFS3.1的性能已經可以和普通的PCIe3.0*4的中低端固態硬盤掰手腕了。還是十分出色的。

但是要真的比起來，安卓陣營采用的UFS閃存還是稍遜于隔壁蘋果的NVMe閃存，隔壁蘋果早在iPhone6s時代就應用了NVMe閃存，不過當時的速度甚至還不如目前的eMMC強，目前在iPad Pro以及iPhone 11上應用的NVMe的順序寫入速度超過現在的UFS3.0閃存，隨機讀寫性能上稍遜于UFS3.0。

總而言之，目前手機上的閃存芯片的讀寫性能僅有PCIe3.0*4的固態水平，并且還是中低端的那種，手機閃存想要超過電腦，還遠得很呢。跟PCIe4.0*4比起來根本不夠看。