直接躍遷和間接躍遷是量子物理學中的兩種重要概念，它們描述的是電子在能帶之間的能量轉移方式。在簡單理解中，直接躍遷就像電子在沒有發生顯著動量變化的情況下，通過吸收或輻射光子從一個能級直接跳到另一個能級，這種過程通常伴隨著光子的發射，且躍遷前后k值保持不變。

相比之下，間接躍遷則涉及到更大的動量變化。當電子從價帶躍遷到導帶時，不僅需要吸收光子提供能量，還需要與晶格進行能量交換，即聲子的輻射。這種過程對光子能量的要求更高，且能量轉移過程中動量的改變更為顯著，因此躍遷幾率相對較小。在太陽能半導體的應用中，直接躍遷的半導體如硅，能直接利用光子產生電子-空穴對，而間接躍遷則需要更高的光子能量和特定的動量匹配條件。

直接躍遷遵循選擇定則，即電子的波矢在躍遷前后保持不變，這種類型的躍遷在E(k)曲線圖上表現為兩個能級在垂直方向上對齊。而間接躍遷則涉及到了額外的能量交換機制，使得它在理論和實際應用中都具有不同的特性。