局部電位描述了細(xì)胞在閾下刺激下的反應(yīng)，表現(xiàn)為細(xì)胞膜兩側(cè)產(chǎn)生的微弱電變化，這種變化可以是去極化或超極化，取決于膜通道的開放程度。局部電位的形成不消耗能量，由離子順著濃度差流動引起。值得注意的是，局部電位的幅度與刺激強度成正比，但與膜兩側(cè)的離子濃度無關(guān)，這表明局部電位并非“全或無”式的。局部電位具有可疊加性，即多個閾下刺激引起的局部電位疊加可導(dǎo)致膜去極化達(dá)到閾電位，從而觸發(fā)動作電位。此外，局部電位僅能以電緊張方式擴散，其影響范圍有限，隨擴散距離增加而衰減。動作電位則是一種在閾上刺激下發(fā)生的快速、可逆且可傳播的細(xì)胞膜兩側(cè)電變化。這種變化主要由峰電位組成。動作電位的形成需滿足特定條件：細(xì)胞膜兩側(cè)存在離子濃度差，細(xì)胞膜對不同離子的通透性隨膜電位變化而變化，且必須受到閾上刺激。動作電位的形成過程始于膜部分去極化，隨后Na+少量內(nèi)流，去極化達(dá)到閾電位后，Na+內(nèi)流增加形成正反饋，使膜電位迅速達(dá)到Na+平衡電位，產(chǎn)生動作電位的上升支。膜去極化到一定電位水平后，Na+通道失活，K+通道開放，導(dǎo)致K+外流，形成動作電位的下降支。動作電位的幅度受細(xì)胞內(nèi)外Na+濃度差的影響，Na+通道被阻斷或細(xì)胞外Na+濃度降低會阻礙動作電位的產(chǎn)生。簡而言之，局部電位和動作電位的主要區(qū)別在于：局部電位是閾下刺激引起的微弱電變化，幅度與刺激強度相關(guān)，具有可疊加性和電緊張擴布特性；而動作電位是閾上刺激引起的快速可逆且可傳播的電變化，幅度決定于細(xì)胞內(nèi)外的離子濃度差，形成過程包括Na+內(nèi)流和K+外流。局部電位和動作電位在生理過程中共同作用，確保細(xì)胞信號的有效傳遞。