GTO一般只能工作在幾百赫茲的頻率范圍內(nèi)，但是它的功率卻非常大，可以達(dá)到3000安培、4500伏特的容量。GTR目前的額定值已經(jīng)達(dá)到了1800伏特/800安培/2千赫茲、1400伏特/600安培/5千赫茲、600伏特/3安培/100千赫茲。這表明GTR在高頻應(yīng)用方面也有一定的優(yōu)勢(shì)。IGBT的頻率通常不會(huì)超過(guò)100千赫茲，不過(guò)它在高頻性能方面要比GTR好很多。MOSFET理論上可以工作的頻率達(dá)到1兆赫茲，也就是1000千赫茲。不過(guò)在實(shí)際應(yīng)用中，MOSFET常用的頻率段一般為幾百千赫茲左右。因此，從頻率范圍來(lái)看，大致的排序應(yīng)該是GTO、GTR、IGBT、MOSFET。