光刻膠是一種在微電子技術中用于微細圖形加工的關鍵材料。它主要由感光樹脂、增感劑和溶劑組成，是一種對光敏感的混合液體。在紫外光、電子束、離子束或X射線等照射或輻射下，光刻膠的溶解度會發生變化，從而實現從掩模版到待加工基片上的圖形轉移。光刻膠按照形成的圖像分類，有正性光刻膠和負性光刻膠兩大類。正性光刻膠在曝光后，曝光部分會溶解于顯影液，留下未曝光的部分形成圖形；而負性光刻膠則相反，未曝光部分會溶解，留下曝光部分形成圖形。此外，根據曝光光源和輻射源的不同，光刻膠還可分為紫外光刻膠、深紫外光刻膠、X射線膠、電子束膠和離子束膠等。在集成電路制造過程中，光刻膠的作用至關重要。它被廣泛應用于硅片制造、顯示面板生產以及半導體分立器件的加工等領域。光刻膠的質量直接影響集成電路的制造成本、良率及性能。隨著半導體技術的不斷發展，對光刻膠的需求也在穩步增加。舉例來說，在硅片制造過程中，光刻膠被涂覆在硅片表面，并經過干燥形成膠膜。隨后，通過曝光和顯影步驟，將掩模版上的圖形轉移到硅片上。這一過程中，光刻膠的分辨率、對比度和敏感度等性能指標對最終圖形的質量和精度具有決定性影響。因此，不斷提升光刻膠的性能和技術水平是推動微電子技術發展的關鍵之一。