sd卡u盤讀寫速度(sd卡u盤讀寫速度慢)CFan曾在《性能最多相差78倍！揭開存儲卡的速度之謎！》解讀過存儲卡的速度之謎，今天咱們將目光放在同樣基于NAND閃存設計的U盤（閃存盤）領域，看看這種存儲設備的速度如何區分高下。我們可以將閃存盤理解為“自帶USB接口的存儲卡”。只是，閃存盤的體型相對更大一些，其實際性能全看內置的閃存和主控芯片的規格，對終端設備沒有太高要求（只要支持對應的USB3.x Gen1/2標準的接口即可）。目前閃存盤的主控生產廠商主要以群聯(Phison)、慧榮（SMI）、鑫創（SSS）、聯陽（ITE）、安國（ALCOR）、銀燦（Innostor）為主。閃存盤領域可要比存儲卡復雜多了。從形態上，閃存盤包含Nano迷你型、單接口型、雙接口型（同時配備USB-A和USB Type-C）；從速度上，閃存盤還存在USB2.0、USB3.0/3.1/3.2 Gen1（5Gbps）和USB3.1/3.2 Gen2（10Gbps）。Nano迷你型的閃存盤普遍采用了“黑膠體封裝”（又稱UDP黑膠體和PIP封裝技術），所有零部件一次成型，閃存盤內部主體上沒有一絲縫隙，也因此獲得了不易損壞、可靠性高、防水、防震、防塵、防磁等優點。不過，這種結構的閃存盤性能普遍一般（速度多在200MB/s以內），最大的優勢就是小巧便攜不占空間。但凡事都有例外，三星FIT升級版+雖然也是Nano迷你型，但速度依舊可達400MB/s，應該是三星解決了高性能主控的小型化封裝技術，代價則是成本更高。128GB/256GB版速度才能達到400MB/s，64GB版會降至300MB/s更高速度的閃存盤普遍采用閃存和主控芯片分離的設計，部分型號可以實現超過400MB/s的讀取速度，主要是因為它們內部是由SSD主控芯片+閃存芯片+USB橋接芯片組成，所以還被不少網友譽為“固態閃存盤”（USSD）。以閃迪CZ880為例，這款高端閃存盤就采用了祥碩科技ASMedia ASM1153E SATA3（6Gbps）To USB3.1 Gen1（5Gbps）的轉接芯片。需要注意的是，高端閃存盤未來的發展趨勢是摒棄了過去的橋接設計，直接集成更高性能的單主控芯片。比如金士頓DataTraveler Max就內置慧榮SM2320主控，在單芯片（不算閃存）的基礎上就支持USB3.2 Gen2標準，實際傳輸速率可達1000MB/s。去年初，群聯還發布了全球首個和最快的USB3.2 Gen2×2（20Gbps）閃存盤主控（PS2251-18），其連續讀取速度高達1900MB/s，連續寫入性能也能達到1700MB/s，堪比中端PCIe 3.0 SSD。群聯曾表示，PS2251-18主控無需橋接控制器，降低了成本，簡化了PCBA設計。與基于橋接的USB外部SSD相比，能效提高了56%。但是，這種超高速閃存盤也遇到了一些問題——為了解決高速度衍生的發熱問題，體積不可能太小，而且價格較之同容量200MB/s級別的閃存盤至少翻了一番。更尷尬的是，目前連標配USB3.2 Gen2接口（10Gbps）的電腦還未普及，很多普通消費者哪怕咬牙購買也會“英雄無用武之地”。總之，閃存盤是最通用的NAND介質存儲產品，主控對其性能影響至關重要，上限極高，下限極低。需要注意的是，很多不知名品牌為了降低成本，會為閃存盤搭配“白片”甚至“黑片”閃存顆粒，對穩定性和壽命的影響很大。所以強烈建議大家優先挑選金士頓、三星、閃迪等一線品牌旗下的產品。