場效應管（FET）是一種電壓控制電流的半導體器件。它的主要特點是具有高輸出電阻和低噪聲系數，同時對溫度和輻射的敏感度較低，因此在高靈敏度、低噪聲電路中得到廣泛應用。場效應管的分類眾多，根據結構可以分為兩大類：結型場效應管（JFET）和絕緣柵型場效應管（IGFET）。結型場效應管進一步細分為N溝道和P溝道兩種類型。絕緣柵型場效應管主要是指金屬-氧化物-半導體場效應管（MOS管）。MOS管自身又分為“耗盡型”和“增強型”兩類，這兩類都包括N溝道和P溝道。結型場效應管的工作原理是利用導電溝道之間的耗盡區寬度來控制電流，其輸出電阻介于10^5到10^15之間；而絕緣柵型場效應管則是通過感應電荷來控制導電溝道的寬度，進而控制電流的大小，其輸出阻抗非常高，因為柵極與其他電極之間是相互絕緣的。由于它在硅片上的集成度較高，因此在大規模集成電路中占據極其重要的地位。