1. MOSFET根據(jù)導電方式的不同，可以分為增強型和耗盡型兩種。增強型MOSFET在VGS=0時處于截止狀態(tài)，而當施加正確的VGS時，多數(shù)載流子被吸引到柵極附近，形成導電溝道。耗盡型MOSFET在VGS=0時 already 存在溝道，而正確的VGS會增加溝道中的載流子，從而耗盡溝道中的載流子，導致管子截止。2. 以N溝道MOSFET為例，它是在P型硅襯底上形成兩個高摻雜濃度的N+源擴散區(qū)和N+漏擴散區(qū)，分別連接源極S和漏極D。源極與襯底內(nèi)部相連，保持等電位。在外部電場的作用下，從P型襯底向N型溝道移動。3. 當漏極接正電源，源極接負電源且VGS=0時，溝道電流（即漏極電流）ID=0。隨著VGS的增加，在源極和漏極之間形成帶負電的少數(shù)載流子，形成導電溝道。當VGS超過開啟電壓VTN（通常約為+2V）時，N溝道MOSFET開始導電，漏極電流ID開始流動。4. 國內(nèi)N溝道MOSFET的典型產(chǎn)品包括3DO1、3DO2、3DO4（單柵管）和4DO1（雙柵管）。5. MOSFET對電磁干擾和靜電非常敏感，因為其輸入電阻高且柵-源極間電容小。即便是少量的電荷也可能在極間電容上積累高電壓，損壞器件。為此，出廠時器件的引腳會絞合或封裝在金屬箔中，以保持柵極和源極等電位，防止靜電積累。在不使用時，所有引腳應短接。在測量時需特別小心，并采取防靜電措施。