MOSFET管是FET的一種，分為增強型和耗盡型，以及P溝道和N溝道四種類型。在實際應(yīng)用中，主要使用增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管，通常簡稱NMOS和PMOS。場效應(yīng)管主要分為結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場效應(yīng)管（MOS管）兩大類。一、結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）結(jié)型場效應(yīng)管有兩種結(jié)構(gòu)形式：N溝道結(jié)型場效應(yīng)管和P溝道結(jié)型場效應(yīng)管。它們都具有三個電極：柵極、漏極和源極。電路符號中柵極的箭頭方向表示兩個PN結(jié)的正向?qū)щ姺较颉６⒔^緣柵場效應(yīng)管（MOS管）1. 絕緣柵場效應(yīng)管（MOS管）主要有N溝道型和P溝道型，分為增強型和耗盡型兩種。2. MOS管由金屬、氧化物和半導(dǎo)體組成，因此也稱為金屬—氧化物—半導(dǎo)體場效應(yīng)管，簡稱MOSFET。3. 絕緣柵型場效應(yīng)管的工作原理：以N溝道增強型MOSFET為例，它通過控制柵極電壓UGS來改變導(dǎo)電溝道的狀態(tài)，進而控制漏極電流。在制造過程中，絕緣層中形成大量正離子，使得界面另一側(cè)感應(yīng)出較多負電荷，這些負電荷將高摻雜的N區(qū)連接起來，形成導(dǎo)電溝道。即使在VGS=0時，也有較大的漏極電流ID。當(dāng)柵極電壓變化時，溝道內(nèi)感應(yīng)的電荷量也變化，導(dǎo)電溝道的寬窄隨之改變，漏極電流ID隨之變化。場效應(yīng)管的工作方式有兩種：耗散型和增強型。耗散型在場效應(yīng)管柵壓為零時有較大漏極電流；增強型在場效應(yīng)管柵壓為零時，漏極電流也為零，必須再加一定的柵壓才有漏極電流。