場效應管（FET）是一種電壓控制型半導體器件，具有輸入電阻高（108～109Ω）、噪聲小、功耗低、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點，現已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。場效應管分結型、絕緣柵型兩大類。結型場效應管（JFET）因有兩個PN結而得名，絕緣柵型場效應管（JGFET）則因柵極與其它電極完全絕緣而得名。目前在絕緣柵型場效應管中，應用最為廣泛的是MOS場效應管，簡稱MOS管（即金屬-氧化物-半導體場效應管MOSFET）；此外還有PMOS、NMOS和VMOS功率場效應管，以及最近剛問世的πMOS場效應管、VMOS功率模塊等。按溝道半導體材料的不同，結型和絕緣柵型各分溝道和P溝道兩種。若按導電方式來劃分，場效應管又可分成耗盡型與增強型。結型場效應管均為耗盡型，絕緣柵型場效應管既有耗盡型的，也有增強型的。場效應晶體管可分為結場效應晶體管和MOS場效應晶體管。而MOS場效應晶體管又分為N溝耗盡型和增強型；P溝耗盡型和增強型四大類。見附圖1。MOS場效應晶體管使用注意事項。MOS場效應晶體管在使用時應注意分類，不能隨意互換。MOS場效應晶體管由于輸入阻抗高（包括MOS集成電路）極易被靜電擊穿，使用時應注意以下規則：1. MOS器件出廠時通常裝在黑色的導電泡沫塑料袋中，切勿自行隨便拿個塑料袋裝。也可用細銅線把各個引腳連接在一起，或用錫紙包裝。2. 取出的MOS器件不能在塑料板上滑動，應用金屬盤來盛放待用器件。3. 焊接用的電烙鐵必須良好接地。4. 在焊接前應把電路板的電源線與地線短接，再MOS器件焊接完成后在分開。5. MOS器件各引腳的焊接順序是漏極、源極、柵極。拆機時順序相反。6. 電路板在裝機之前，要用接地的線夾子去碰一下機器的各接線端子，再把電路板接上去。7. MOS場效應晶體管的柵極在允許條件下，最好接入保護二極管。在檢修電路時應注意查證原有的保護二極管是否損壞。場效應管的測試。下面以常用的3DJ型N溝道結型場效應管為例解釋其測試方法：3DJ型結型場效應管可看作一只NPN型的晶體三極管，柵極G對應基極b，漏極D對應集電極c，源極S對應發射極e。所以只要像測量晶體三極管那樣測PN結的正、反向電阻既可。把萬用表撥在R*100擋用黑表筆接場效應管其中一個電極，紅表筆分別接另外兩極，當出現兩次低電阻時，黑表筆接的就是場效應管的柵極。紅表筆接的就是漏極或源極。對結型場效應管而言，漏極和源極可以互換。對于有4個管腳的結型場效應管，另外一極是屏蔽極（使用中接地）。目前常用的結型場效應管和MOS型絕緣柵場效應管的管腳順序如圖2所示。場效應晶體管的好壞的判斷。先用MF10型萬用表R*100KΩ擋（內置有15V電池），把負表筆（黑）接柵極（G），正表筆（紅）接源極（S）。給柵、源極之間充電，此時萬用表指針有輕微偏轉。再該用萬用表R*1Ω擋，將負表筆接漏極（D），正表筆接源極（S），萬用表指示值若為幾歐姆，則說明場效應管是好的。