mos型半導(dǎo)體電路分為
mos型半導(dǎo)體電路分為
根據(jù)試題:現(xiàn)在的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器多為MOS型半導(dǎo)體電路,分為()。A.隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。B.只讀存儲(chǔ)器。C.靜態(tài)存儲(chǔ)器。D.動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器。,答案是C,D,所以mos型半導(dǎo)體電路分為靜態(tài)存儲(chǔ)器,動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器。MOS電路為單極型積體電路,又稱為MOS積體電路,它采用金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MetalOxideSemi-conductorFieldEffectTransistor,縮寫為MOSFET)制造,其主要特點(diǎn)是結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、制造方便、集成度高、功耗低,但速度較慢。
導(dǎo)讀根據(jù)試題:現(xiàn)在的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器多為MOS型半導(dǎo)體電路,分為()。A.隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。B.只讀存儲(chǔ)器。C.靜態(tài)存儲(chǔ)器。D.動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器。,答案是C,D,所以mos型半導(dǎo)體電路分為靜態(tài)存儲(chǔ)器,動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器。MOS電路為單極型積體電路,又稱為MOS積體電路,它采用金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MetalOxideSemi-conductorFieldEffectTransistor,縮寫為MOSFET)制造,其主要特點(diǎn)是結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、制造方便、集成度高、功耗低,但速度較慢。
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靜態(tài)存儲(chǔ)器,動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器。根據(jù)試題:現(xiàn)在的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器多為MOS型半導(dǎo)體電路,分為()。A.隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。B.只讀存儲(chǔ)器。C.靜態(tài)存儲(chǔ)器。D.動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器。,答案是C,D,所以mos型半導(dǎo)體電路分為靜態(tài)存儲(chǔ)器,動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器。MOS電路為單極型積體電路,又稱為MOS積體電路,它采用金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MetalOxideSemi-conductorFieldEffectTransistor,縮寫為MOSFET)制造,其主要特點(diǎn)是結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、制造方便、集成度高、功耗低,但速度較慢。
mos型半導(dǎo)體電路分為
根據(jù)試題:現(xiàn)在的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器多為MOS型半導(dǎo)體電路,分為()。A.隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。B.只讀存儲(chǔ)器。C.靜態(tài)存儲(chǔ)器。D.動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器。,答案是C,D,所以mos型半導(dǎo)體電路分為靜態(tài)存儲(chǔ)器,動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器。MOS電路為單極型積體電路,又稱為MOS積體電路,它采用金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MetalOxideSemi-conductorFieldEffectTransistor,縮寫為MOSFET)制造,其主要特點(diǎn)是結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、制造方便、集成度高、功耗低,但速度較慢。
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