碳化硅速度快
碳化硅速度快
斯坦福大學科學家發表的一項研究表明，碳化硅的速度非常快。研究表明，采用SiCMOSFET設計的17MHzE類逆變器，直流到射頻的效率高達86%。商用碳化硅MOSFET優于GaNHEMT的特征在于：與碳化硅MOSFET的輸出電容(Coss)、相關損耗(Ediss)與開關頻率無關。對比發現，氮化鎵HEMT的Ediss隨頻率的增加而增加（因為dV/dt增加），造成氮化鎵在高頻時性能下降。
導讀斯坦福大學科學家發表的一項研究表明，碳化硅的速度非常快。研究表明，采用SiCMOSFET設計的17MHzE類逆變器，直流到射頻的效率高達86%。商用碳化硅MOSFET優于GaNHEMT的特征在于：與碳化硅MOSFET的輸出電容(Coss)、相關損耗(Ediss)與開關頻率無關。對比發現，氮化鎵HEMT的Ediss隨頻率的增加而增加（因為dV/dt增加），造成氮化鎵在高頻時性能下降。
是的。斯坦福大學科學家發表的一項研究表明，碳化硅的速度非常快。研究表明，采用SiCMOSFET設計的17MHzE類逆變器，直流到射頻的效率高達86%。商用碳化硅MOSFET優于GaNHEMT的特征在于：與碳化硅MOSFET的輸出電容(Coss)、相關損耗(Ediss)與開關頻率無關。對比發現，氮化鎵HEMT的Ediss隨頻率的增加而增加（因為dV/dt增加），造成氮化鎵在高頻時性能下降。
碳化硅速度快
斯坦福大學科學家發表的一項研究表明，碳化硅的速度非常快。研究表明，采用SiCMOSFET設計的17MHzE類逆變器，直流到射頻的效率高達86%。商用碳化硅MOSFET優于GaNHEMT的特征在于：與碳化硅MOSFET的輸出電容(Coss)、相關損耗(Ediss)與開關頻率無關。對比發現，氮化鎵HEMT的Ediss隨頻率的增加而增加（因為dV/dt增加），造成氮化鎵在高頻時性能下降。
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