Intel在制程工藝方面取得了四項重大突破，這些突破將對未來的集成電路設計與生產產生深遠影響。第一項突破是減成法釕互連技術。這一技術采用了新型金屬釕作為互連材料，通過引入空氣間隙，成功降低了線間電容，提高了互連的微縮性能。這不僅提高了異構集成的可行性，還帶來了成本效益，有望在更小的制程節點上得到廣泛應用。第二項突破是選擇性層轉移技術。這是一種異構集成解決方案，能夠以更高的靈活性集成超薄芯粒。與傳統技術相比，SLT技術顯著縮小了芯片尺寸，提高了縱橫比，并有望將封裝吞吐量提升高達100倍，實現超快速的芯片間封裝。第三項突破是硅基RibbonFET CMOS晶體管技術。Intel展示了柵極長度僅為6納米的硅基RibbonFET晶體管，這一進展顯著縮短了柵極長度，減少了溝道厚度，并抑制了短溝道效應，達到了業內領先水平。這一技術突破為推動摩爾定律的進一步發展提供了關鍵支持。第四項突破是用于微縮的2D GAA晶體管的柵氧化層技術。Intel在2D GAA晶體管制造方面取得了新進展，通過研發柵氧化層模塊，成功將晶體管的柵極長度縮小到了30納米。此外，該研究還涉及了2D TMD，這種材料未來有望在先進晶體管工藝中替代硅，為半導體行業帶來新的發展機遇。總的來說，Intel的這四項制程工藝突破涵蓋了新材料應用、異構封裝技術、全環繞柵極晶體管創新等多個關鍵領域，將有力推動半導體行業的技術進步和產業發展。