在硅材料中，BJT的Vbe通常設(shè)定為0.7v，在鍺材料中，可以近似為0.3v。在做題時，若不明確材料類型，一般使用0.7v，因為其影響較小，不會造成顯著誤差。由于Vbe的最大值在導(dǎo)通狀態(tài)下僅為0.7v，因此“我看書上說ib隨著vbe的增大而增大”這一結(jié)論描述的是一個很小量之間的關(guān)系。在實際應(yīng)用中，Vbe與Ib之間的關(guān)系較為復(fù)雜，但可以近似認(rèn)為，在一定范圍內(nèi)，Ib的大小與Vbe成正比。這是因為Vbe的增加會導(dǎo)致基極電流Ib的相應(yīng)增加，從而增加集電極電流Ic，實現(xiàn)放大功能。值得注意的是，Vbe與Ib的關(guān)系并非線性，它受多種因素影響，包括溫度、材料類型等。因此，在進行電路設(shè)計時，需要綜合考慮這些因素，以確保電路的穩(wěn)定性和可靠性。此外，Vbe與Ib之間的關(guān)系還與BJT的類型有關(guān)，如NPN型和PNP型BJT在結(jié)構(gòu)上存在差異，這將導(dǎo)致它們在具體應(yīng)用中的表現(xiàn)不同。因此，在設(shè)計電路時，選擇合適的BJT類型也至關(guān)重要。總之，Vbe與Ib之間的關(guān)系在一定程度上決定了BJT的工作狀態(tài)，是電路設(shè)計中需要重點關(guān)注的一個方面。