場效應(yīng)管測量
場效應(yīng)管測量
對于D和S之間的測量,需要根據(jù)MOS管的類型進行區(qū)分。對于NMOS,使用二極管檔測量時,如果紅筆接D,黑筆接S,則顯示值應(yīng)為無窮大;反之,若紅筆接S,黑筆接D,則顯示值約為0.7V(這是由于MOS管的寄生二極管效應(yīng))。而對于PMOS,測量結(jié)果則與NMOS相反,即紅筆接S,黑筆接D時顯示無窮大;紅筆接D,黑筆接S時顯示值約為0.7V。以上是通過萬用表進行的基本測量,可以檢查場效應(yīng)管是否有開路或短路的情況。若想進一步檢測場效應(yīng)管的控制功能,則需要構(gòu)建電路。如左圖所示,為NMOS管電路,當開關(guān)斷開時,G極輸入低電平,NMOS截止,此時用電壓檔測量DS電壓應(yīng)為10V;當開關(guān)閉合后,G極輸入高電平,NMOS導(dǎo)通,測量DS電壓應(yīng)接近0V。
導(dǎo)讀對于D和S之間的測量,需要根據(jù)MOS管的類型進行區(qū)分。對于NMOS,使用二極管檔測量時,如果紅筆接D,黑筆接S,則顯示值應(yīng)為無窮大;反之,若紅筆接S,黑筆接D,則顯示值約為0.7V(這是由于MOS管的寄生二極管效應(yīng))。而對于PMOS,測量結(jié)果則與NMOS相反,即紅筆接S,黑筆接D時顯示無窮大;紅筆接D,黑筆接S時顯示值約為0.7V。以上是通過萬用表進行的基本測量,可以檢查場效應(yīng)管是否有開路或短路的情況。若想進一步檢測場效應(yīng)管的控制功能,則需要構(gòu)建電路。如左圖所示,為NMOS管電路,當開關(guān)斷開時,G極輸入低電平,NMOS截止,此時用電壓檔測量DS電壓應(yīng)為10V;當開關(guān)閉合后,G極輸入高電平,NMOS導(dǎo)通,測量DS電壓應(yīng)接近0V。
![](https://img.51dongshi.com/20250106/wz/18471500352.jpg)
利用萬用表進行場效應(yīng)管的基本測量時,首先需要使用電阻檔來檢測G和S之間,以及G和D之間的正反向電阻。如果這兩組電阻值均為無窮大,則表明管子沒有短路現(xiàn)象,如果有短路則說明場效應(yīng)管可能已損壞。對于D和S之間的測量,需要根據(jù)MOS管的類型進行區(qū)分。對于NMOS,使用二極管檔測量時,如果紅筆接D,黑筆接S,則顯示值應(yīng)為無窮大;反之,若紅筆接S,黑筆接D,則顯示值約為0.7V(這是由于MOS管的寄生二極管效應(yīng))。而對于PMOS,測量結(jié)果則與NMOS相反,即紅筆接S,黑筆接D時顯示無窮大;紅筆接D,黑筆接S時顯示值約為0.7V。以上是通過萬用表進行的基本測量,可以檢查場效應(yīng)管是否有開路或短路的情況。若想進一步檢測場效應(yīng)管的控制功能,則需要構(gòu)建電路。如左圖所示,為NMOS管電路,當開關(guān)斷開時,G極輸入低電平,NMOS截止,此時用電壓檔測量DS電壓應(yīng)為10V;當開關(guān)閉合后,G極輸入高電平,NMOS導(dǎo)通,測量DS電壓應(yīng)接近0V。如右圖所示,為PMOS管電路。當開關(guān)斷開時,G極輸入高電平,PMOS截止,此時測量SD電壓應(yīng)為10V;當開關(guān)閉合后,G極輸入低電平,PMOS導(dǎo)通,測量SD電壓應(yīng)接近0V。
場效應(yīng)管測量
對于D和S之間的測量,需要根據(jù)MOS管的類型進行區(qū)分。對于NMOS,使用二極管檔測量時,如果紅筆接D,黑筆接S,則顯示值應(yīng)為無窮大;反之,若紅筆接S,黑筆接D,則顯示值約為0.7V(這是由于MOS管的寄生二極管效應(yīng))。而對于PMOS,測量結(jié)果則與NMOS相反,即紅筆接S,黑筆接D時顯示無窮大;紅筆接D,黑筆接S時顯示值約為0.7V。以上是通過萬用表進行的基本測量,可以檢查場效應(yīng)管是否有開路或短路的情況。若想進一步檢測場效應(yīng)管的控制功能,則需要構(gòu)建電路。如左圖所示,為NMOS管電路,當開關(guān)斷開時,G極輸入低電平,NMOS截止,此時用電壓檔測量DS電壓應(yīng)為10V;當開關(guān)閉合后,G極輸入高電平,NMOS導(dǎo)通,測量DS電壓應(yīng)接近0V。
為你推薦