了解內(nèi)存顆粒編碼對于理解內(nèi)存的性能和容量至關(guān)重要。以三星DDR內(nèi)存顆粒為例，K4H280838B-TCB0，首位的K表示內(nèi)存芯片，第二位的4表示DRAM類型，而S、H、G分別代表SDRAM、DDR、SGRAM。內(nèi)存的容量和刷新速率通過第四、五位的數(shù)字來區(qū)分，比如64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量，28、27、2A代表128Mbit的容量，56、55、57、5A代表256Mbit的容量，51代表512Mbit的容量。第六、七位的數(shù)字則表示數(shù)據(jù)線引腳個(gè)數(shù)，08代表8位數(shù)據(jù)，16代表16位數(shù)據(jù)，32代表32位數(shù)據(jù)，64代表64位數(shù)據(jù)。第十一位是連線符號“-”。最后兩位表示芯片的速率，如60為6ns，70為7ns，7B為7.5ns (CL=3)，7C為7.5ns (CL=2)，80為8ns，10為10ns (66MHz)。通過解析這些編碼，可以輕易計(jì)算出內(nèi)存的容量。例如，一條三星DDR內(nèi)存使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0顆粒封裝。顆粒編號第四、五位“28”代表該顆粒是128Mbits，第六、七位“08”代表該顆粒是8位數(shù)據(jù)帶寬，這樣可以計(jì)算出該內(nèi)存條的容量是128Mbits（兆數(shù)位） × 16片/8bits=256MB（兆字節(jié)）。在計(jì)算時(shí)，“bit”表示“數(shù)位”，“B”即字節(jié)“byte”，一個(gè)字節(jié)為8位，因此計(jì)算時(shí)要除以8。現(xiàn)代內(nèi)存的編碼也值得注意。HY5DV641622AT-36，HY代表是現(xiàn)代的產(chǎn)品，內(nèi)存芯片類型為57=SDRAM，5D=DDR SDRAM。工作電壓通過后綴表示，空白=5V，V=3.3V，U=2.5V。芯片容量和刷新速率通過第四、五位的數(shù)字表示，16=16Mbits、4K Ref，64=64Mbits、8K Ref，65=64Mbits、4K Ref，128=128Mbits、8K Ref，129=128Mbits、4K Ref，256=256Mbits、16K Ref，257=256Mbits、8K Ref。代表芯片輸出的數(shù)據(jù)位寬通過第五位的數(shù)字表示，40、80、16、32分別代表4位、8位、16位和32位。BANK數(shù)量通過第七位的數(shù)字表示，1、2、3分別代表2個(gè)、4個(gè)和8個(gè)Bank。Infineon的內(nèi)存顆粒編碼簡單直觀，HYB39S128400即128MB/4bits，表示該顆粒的容量為128MB，數(shù)據(jù)寬度為4bits。其他顆粒編碼也遵循同樣的規(guī)則，如HYB39S代表128MB/4bits的內(nèi)存顆粒。了解這些編碼有助于我們更好地理解內(nèi)存的性能和容量，從而選擇合適的內(nèi)存條。