芯片的性能提升主要靠主頻*IPC*核心數量這三個因素的乘積，如果只考慮單核性能的話還要去掉核心數。IPC取決于芯片的設計架構，基本上優化到1.4之后很難再提升了，主頻取決于芯片的制造工藝和最大功耗限制，主頻和功耗的關系不是線性的，當頻率到達一定閾值后繼續增加頻率會讓功耗成倍增長，所以主頻到達4G之后很難提升了，于是intel就遇到了瓶頸。性能提不上去就只能優化工藝，芯片制造工藝的提升可以降低功耗，所以Intel每代產品的每瓦性能還是有較大提升的。而ARM一開始就是為了低功耗而犧牲性能，性能的起點很低，Intel快到山頂的時候ARM還在山腳下。然后逐步把主頻和IPC做上去就可以看到性能的大幅提升，而隨著電池技術的提升又可以增大一點功耗，用功耗換性能。當然性能達到一定程度后，很快也會碰到和Intel一樣的瓶頸，然后就是增加核心數，當核心數到達瓶頸后就基本要開始擠牙膏了。