flash RTP退火
flash RTP退火
flashRTP是一種單片熱處理設備，可將硅片溫度快速升至200-1300℃的工藝所需溫度，升/降溫速率一般為20-250℃/s，降溫速率快。RTP在快速熱退火中的應用最為普遍。在離子注入后需要利用RTP設備來修復離子注入損傷，激活摻雜離子并有效控制雜質擴散。快速熱退火主要有尖峰退火（Spike-anneal）、燈退火（LampAnnealing）、激光退火（LaserAnnealing）和閃光退火（FlashAnnealing）四種。
導讀flashRTP是一種單片熱處理設備，可將硅片溫度快速升至200-1300℃的工藝所需溫度，升/降溫速率一般為20-250℃/s，降溫速率快。RTP在快速熱退火中的應用最為普遍。在離子注入后需要利用RTP設備來修復離子注入損傷，激活摻雜離子并有效控制雜質擴散。快速熱退火主要有尖峰退火（Spike-anneal）、燈退火（LampAnnealing）、激光退火（LaserAnnealing）和閃光退火（FlashAnnealing）四種。
flashRTP是一種單片熱處理設備，可將硅片溫度快速升至200-1300℃的工藝所需溫度，升/降溫速率一般為20-250℃/s，降溫速率快。RTP在快速熱退火中的應用最為普遍。在離子注入后需要利用RTP設備來修復離子注入損傷，激活摻雜離子并有效控制雜質擴散。快速熱退火主要有尖峰退火（Spike-anneal）、燈退火（LampAnnealing）、激光退火（LaserAnnealing）和閃光退火（FlashAnnealing）四種。
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flashRTP是一種單片熱處理設備，可將硅片溫度快速升至200-1300℃的工藝所需溫度，升/降溫速率一般為20-250℃/s，降溫速率快。RTP在快速熱退火中的應用最為普遍。在離子注入后需要利用RTP設備來修復離子注入損傷，激活摻雜離子并有效控制雜質擴散。快速熱退火主要有尖峰退火（Spike-anneal）、燈退火（LampAnnealing）、激光退火（LaserAnnealing）和閃光退火（FlashAnnealing）四種。
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